8 800 222 9012
Меню
Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb

Модуль памяти Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb: Характеристики

Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb: Характеристики
Характеристики
` DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb
DDR3 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x4 Гб, CL 11
Характеристики
Память
Тип памяти
DDR3
Общие характеристики
Форм-фактор
SODIMM 204-контактный
Тактовая частота
1600 МГц
Пропускная способность
12800 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Цены